IXYS IXFN82N60P là MOSFET công suất kênh N (N-Channel Power MOSFET) thuộc dòng PolarHV™ HiPerFET™, dùng cho các mạch công suất và đóng cắt tốc độ cao.
Thông số kỹ thuật IXYS IXFN82N60P
| Thông số | Giá trị |
|---|---|
| Hãng | IXYS (nay thuộc Littelfuse) |
| Mã | IXFN82N60P |
| Loại | MOSFET công suất N-Channel |
| Điện áp Drain-Source (VDS) | 600 V |
| Dòng Drain liên tục (ID) | 72 A @ TC = 25°C |
| Dòng xung (IDM) | 200 A |
| RDS(on) | ≤ 75 mΩ @ VGS = 10 V |
| Điện áp Gate tối đa | ±30 V |
| Công suất tiêu tán | 1040 W @ TC = 25°C |
| Nhiệt độ junction | -55 đến +150°C |
| Điện tích Gate (Qg) | khoảng 240 nC |
| Đóng gói | SOT-227B / miniBLOC, 4 chân |
| Diode nội tại | Fast intrinsic diode |
| Khối lượng | khoảng 30 g |
MOSFET công suất kênh N 600V–72A, vỏ SOT-227B (miniBLOC).
Ứng dụng IXYS IXFN82N60P
- Biến đổi DC-DC
- Nguồn xung SMPS
- Bộ sạc pin công suất lớn
- Mạch DC chopper
- Bộ nghịch lưu/điều khiển công suất
- Đóng cắt tải công suất cao
- Mạch chỉnh lưu đồng bộ.















